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第三代半导体功率芯片、器件、模块的可靠性分析评价技术研究及关键设备开发项目启动会在我所召开

  • 2020-07-23
  • 来源:重点实验室
  • 供稿人:贺致远
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7月17日,我所牵头承担的广东省重点领域研发计划项目“第三代半导体功率芯片、器件、模块的可靠性分析评价技术研究及关键设备开发”项目启动会顺利召开。

出席启动会的领导和专家有广东省科技厅高新处张志彤调研员,广东省生产力促进中心陈志祥书记、蔡建周专员,项目责任专家、承研单位领导及课题组骨干成员。张志彤调研员首先代表省科技厅对项目总体上提出了要求,指出项目要做好系统性、长期性布局,强化共性检测平台能力建设,集中项目各方优势资源,建设成全国第三代半导体可靠性评价研究的技术高地。陈志祥书记指出,电子五所在第三代半导体检测分析领域有着较好的研究基础,希望通过这个项目进一步支撑广东省第三代半导体产业质量提升,对标国际标准交出广东省的可靠性检测方法,实现局部超越。我所副总工王晓晗代表承担单位致辞,表示将在资金、技术、管理等方面全力支持项目建设。

会议听取了项目负责人和参与单位、子课题负责人的汇报。项目负责人重点实验室路国光副主任从检测方法体系、关键检测设备开发、第三方检测服务平台等主要研究内容对项目概况展开说明,以失效机理研究为基础至平台化建设落地报告了项目总体的技术路线,建立内部管理及监督机制,从项目时间节点、财务节点、实施方案等方面对项目进行监管。子课题项目负责人分别从子课题研究的主要内容出发,分别对平台建设、SiC功率器件测试设备开发及示范应用、GaN功率器件测试设备开发及示范应用、标准制定的实施方案等方面进行了汇报。

随着项目启动会的开启,加强我所与各合作单位技术交流,充分发挥各自的优势,共同攻克关键核心技术,力争突破前沿、引领性的技术,助力第三代半导体材料与器件领域的平台建设。