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7月8日—11日，第二十三届全国半导体物理学术会议在西安举办。本次会议由西安电子科技大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所、中共陕西省委军民融合发展委员会办公室、陕西省科学技术厅、陕西省科学技术协会共同主办。大会主席由李树深院士和郝跃院士共同担任，会议组委会主任由半导体物理专业委员会主任王开友研究员担任，祝世宁院士、黄维院士、俞大鹏院士、黄如院士、江风益院士、崔铁军院士、厦门大学校长张荣教授、02专项总师叶甜春研究员及200家高校、科研院所及企业人员参加大会。

我所总工恩云飞研究员受邀与天津工业大学赵丽霞教授、西北核技术研究所郭红霞研究员、中科院长春光机所刘雷研究员、西安电子科技大学郑雪峰教授共同主持大会的“专题 12. 半导体材料与器件可靠性物理”。重点实验室高汭博士做“考虑涨落的纳米MOSFET偏压温度不稳定性建模和寿命预测”邀请报告，章晓文研究员做“集成电路中连接通孔的可靠性检测方法研究”口头报告。

通过参加本次全国半导体物理学术会议，向行业宣传了我所在半导体器件可靠性领域的最新科研成果。在会议的现场交流中，与行业内的专家学者探讨了共同关心的技术问题和未来可能合作的科研方向，并邀请部分行业专家有空时到五所做技术交流，为下一步科研合作打下良好基础。

全国半导体物理学术会议是由中国物理学会半导体物理专业委员会主办的全国性会议，最早由已故世界著名物理学家、国家最高科学技术奖获奖者黄昆院士于1978年倡导召开，每两年举行一次（奇数年召开），与两年一次的国际半导体物理会议（偶数年召开）交错进行。会议宗旨是促进国内半导体物理研究领域的学术交流，把握国际重大前沿领域的发展动向，提升国内半导体物理及相关学科的国际影响力。