澳门威斯人游戏网址动态

      7月2日，国际电子电气工程师协会（IEEE）电子器件学会（EDS）广州分会2011年度研讨会在我所举行。会议由IEEE资助，我所作为IEEE EDS广州分会的挂靠单位主办，由所科技委和重点实验室承办。本次研讨会的主题为“微电子可靠性与PHM技术论坛”，会议邀请了四位专家做了主题报告，其中三位为IEEE杰出讲师、IEEE Fellow、国际知名专家；参会人员50余名。会议由IEEE EDS广州分会主席、所顾问、所科技委主任孔学东研究员主持，会议学术气氛浓厚，促进了我所在微电子可靠性和电子系统PHM技术的学术交流。

      目前，微电子技术已进入纳米时代，集成电路的栅长已达22nm、栅介质厚度接近1nm，由此带来了一系列的可靠性问题，例如：静电放电（ESD）设计和防护、栅介质的可靠性问题及测量表征，新型高k栅介质的选择等。另外，随着电子系统的日益复杂，其故障诊断及健康管理（PHM）的重要性日益突出，成为研究热点。针对这些前沿学术问题，我们邀请了IEEE 杰出讲师、Fellow、EDS分会副主席、美国中佛罗里达大学刘俊杰（Juin J. Liou）教授，IEEE杰出讲师、Fellow、台湾交通大学庄绍动（Steve S.Chung）教授，IEEE杰出讲师、Fellow、香港城市大学王曦（Hei Wong）教授，工业和信息化部电子五所陆裕东高级工程师进行了主题演讲和学术交流。

      刘俊杰教授做了“现代及未来集成电路抗静电保护的展望和挑战”的报告，他展望了纳米线新型晶体管的抗ESD设计及其进展，认为抗ESD问题是硅纳米线和有机电子学商业化的主要障碍。庄绍动教授的报告题目为：“1nm超薄栅氧化层纳米CMOS电路的可靠性测试和策略”。他着重论述了频率增强电荷泵（IFCP）法用于集成电路可靠性测试和评价。王曦教授开展了“采用La2O3栅介质膜改善MOS管的电学特性”的技术交流，介绍了介质中掺镧的各种工艺和方法，以及器件电学特性的改善。针对目前电子系统PHM技术的研究热点，陆裕东高工做了“电子产品的故障预测与系统健康管理技术”技术报告。

      经过一整天紧张而富有启发的研讨和技术交流，扩展了我所在基础研究和学术前沿方面的视野，了解国际微电子技术的前沿动态，增强了学术交流和合作。本次研讨会是IEEE EDS广州分会的第6届研讨会，IEEE EDS副主席刘俊杰教授表示，将增加对广州分会的学术交流资助，扩大规模争取办成国际研讨会或国际学术交流会，扩大我所的科研影响力。

IEEE EDS杰出讲师与研讨会参会人员合影

（重点实验室）