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5月30日上午，国际电子电气工程师协会（IEEE）电子器件学会（EDS）广州分会2013年度第一次研讨会（Mini-colloquium）在我所举行。本次会议由IEEE资助，我所科技委和重点实验室承办。我所是IEEE EDS广州分会的挂靠单位。

本次会议紧紧围绕“微电子器件可靠性物理与评估技术”展开研讨。会议邀请IEEE杰出讲师Fernando Guarin博士及我所重点实验室陈义强博士进行大会报告。Fernando Guarin博士是IBM微电子部半导体研发中心的高级工程师和科学家，IEEE Fellow，IEEE EDS学会秘书长，在微电子可靠性领域工作了30多年，于1980年-1988年在国家半导体公司军用和宇航部工作，1988年加入IBM微电子工作至今，主要工作为先进的双极型、CMOS及锗硅技术的可靠性物理和建模；他目前正领导IBM 14nm工艺CMOS技术的鉴定工作，在微电子可靠性领域有丰富的经验；Guarin博士作了“CMOS器件质量可靠性前沿技术及发展趋势”的讲座，主要介绍在CMOS器件在纳米尺寸效应下带来的可靠性挑战，如热载流子、偏置电压下的温度稳定性、高K金属栅可靠性问题、SRAM的开关行为等等，综合全面地论述了纳米尺寸下CMOS集成电路的可靠性问题及其前沿技术趋势。陈义强博士作了“微纳米器件可靠性物理建模及预警实现”报告，他展望了微电子器件可靠性技术从材料与器件、物理建模、故障诊断和健康管理（PHM）技术的发展；结合他前期的研究工作，介绍了纳米铁电存储器的失效机理研究、器件可靠性物理建模等工作，研究成果在《Applied Physics Letters》、《IEEE Electron Device Letters》等国际顶级期刊上发表，得到了杂志评委高度评价；针对集成电路电迁移、HCI等主要失效机理，陈博士开展IC预警电路的设计，并流片验证，申请了国内发明专利和国际发明专利；这是我所在微电子可靠性研究领域的重大进步，与国际先进水平同步。

研讨会上讲师和参会人员积极互动，促进了我所与国外微电子可靠性物理和评价技术的学术交流，学术气氛热烈。Guarin博士表示，届时将参加我所承办的2014年ICQRMS国际会议并做报告。

据悉，IEEE EDS2013年度第二次研讨会将于7月15日举办，届时IEEE EDS副主席、美国中佛罗里达大学Juin J.Liou教授和IEEE Fellow、台湾交通大学的庄绍动教授将做讲座报告。

 （重点实验室、科技委）