7月15日上午，我所举办了国际电子电气工程师协会（IEEE）电子器件学会（EDS）广州分会第八届研讨会（Mini-colloquium）。我所是IEEE EDS广州分会的挂靠单位，本次会议由IEEE资助，由所科技委和重点实验室承办。会议邀请到IEEE EDS杰出讲师刘俊杰（Juin J.Liou）教授和庄绍动（Steve S.Chung）教授进行学术报告，会议的主题为“微电子器件可靠性物理与评估技术”。
刘俊杰教授是美国中佛罗里达大学飞马学者、IEEE Fellow、IEEE EDS分会副主席，获得了美国联邦机构、工业界大量的经费资助，在学术界和微电子业界享有盛誉。他在美国、中国、日本、台湾、新加坡多家实验室和公司担任顾问，还是中国长江学者，在浙江大学、北京大学等高校的特聘教授。刘教授研究方向为射频器件建模与仿真、ESD防护设计与模拟，在ESD设计方面拥有丰富经验。刘教授做了“高压硅BiCMOS/BCD器件的静电放电保护技术”的学术报告，针对汽车芯片的高压电路ESD保护、开态电阻、ESD鲁棒性、闩锁等问题，介绍了高压电路ESD设计要求、设计挑战、以及相关的设计方法如可控硅结构（SCR）保护电路、分段法、堆叠法、GGNMOS+SCR方法、电容耦合法等。刘教授深入浅出，将复杂的设计问题以简单易懂方式讲述，并辅以详细设计案例，使得参会人员受益匪浅。
庄绍动（Steve S.Chung）教授是台湾交通大学教授、IEEE Fellow、台联电（UMC）的讲席教授，他曾担任台积电（TSMC）和台联电（UMC）的顾问，负责咨询CMOS和闪存技术，具有丰富的技术和行业经验。他目前的研究方向为：纳米器件，界面特性和可靠性建模，硅基生物器件。庄教授的报告题目是“
高性能高可靠性应力CMOS器件的开发指南”。随着摩尔定律的延伸，硅基应变GeSi器件已经在高速、低功耗器件中应用，但器件的应力会加速器件驱动电流的退化。庄教授介绍了硅基应变器件的相关失效机理、精密的可靠性评估方法如电荷泵测量、栅二极管测量等方法，以及在性能和可靠性方面相权衡的设计方法。
本次研讨参会人员50余人，主要是来自我所的科技人员、华南理工大学和广东工业大学的研究生。借助IEEE EDS研讨会这个平台，与国外的知名教授或研究人员建立了定期沟通的渠道，了解了国外器件可靠性研究最新动态，促进了我所在该方面研究的进步。
（重点实验室、科技委）
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