5月15日上午，国际电子电气工程师协会（IEEE）电子器件学会（EDS）广州分会2014年度第一次暨第九届研讨会（Mini-colloquium）在我所举行。我所是IEEE EDS广州分会的挂靠单位，本次会议由IEEE EDS学会资助，由所科技委和重点实验室承办，主题为“GaN微波/功率器件、封装及其可靠性”。
本次研讨会重点关注GaN基新型微波、功率器件及其封装方面的失效机理、可靠性评估的最新研究动态，邀请了美国中佛罗里达大学（UCF）的Jiann-shiun Yuan（袁建勋）教授、台湾交通大学（NCTU）的张翼教授、香港科技大学（HKUST）的李世玮教授、电子五所曾畅博士开展技术报告，交流最新的科研成果。本次研讨会参会人数65人，主要来自我所科技人员、华南理工大学、广东工业大学和中山大学研究生，互动积极，学术气氛热烈。
李世玮教授的报告题目为“电子封装跌落试验焊点可靠性的回顾与前瞻”，他是IEEE、ASME、IMAPS、IoP等国际学会的Fellow、IEEE CPMT学会的前会长。李教授的报告富有激情，深入浅出地论述了电子封装焊点在跌落过程中的机械应力及演变机制。
袁建勋教授的汇报题目为“RF电路可靠性”，他是美国中佛罗里达大学的教授、IEEE Fellow、IC设计实验室的主任。他主要从RF电路的可靠性问题出发，针对应力引入的参数漂移设计了各种不同的RF电路，如低噪放大器LNA、放大器、振荡器、混合器（频率达70GHz）等等，设计先进可靠。
张翼教授是台湾交通大学的教授、研发长、IEEE Fellow，他主要从事GaN微波与功率器件研究，与产业界的联系非常密切，具有丰富经验。他汇报的题目为“
GaN基高功率器件的实现及其应用”，介绍了材料生长、器件结构、器件制作过程中的各种可靠性问题，信息量很大，具有可靠性研究具有很好的参考价值。
曾畅博士的报告题目为“GaN HEMT器件失效机理研究”，他在GaN HEMT器件上比较有造诣，在国际知名刊物发表文章多篇。该报告主要侧重HEMT器件材料应力分析、失效表征、以及失效机理解释方面进行详细论述、介绍了原创性的成果，获得了张教授、袁教授的赞赏。
借助IEEE这个平台，我所与国外的知名教授或研究人员建立了定期沟通的渠道，了解了国外进行的器件可靠性研究动态，促进了我所在该方面的研究进步，扩大了我所学术影响力。[杨少华 供稿]
IEEE杰出讲师合影
会场照片
（重点实验室、科技委）
粤公网安备 44011802000613号 粤ICP备09030372号-13